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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0086826 (2013-11-21) |
등록번호 | US-9048179 (2015-06-02) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 1 인용 특허 : 33 |
Systems and methods for preparing films using sequential ion implantation, and films formed using same, are provided herein. A structure prepared using ion implantation may include a substrate; an embedded structure having pre-selected characteristics; and a film within or adjacent to the embedded s
1. A method for preparing a film using ion implantation, the method comprising: providing a substrate comprising a first material;embedding a structure within the first material of the substrate, the embedded structure comprising a second material and having pre-selected characteristics, the embedde
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