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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0716972 (2012-12-17) |
등록번호 | US-9070715 (2015-06-30) |
우선권정보 | KR-10-2012-0040399 (2012-04-18) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 18 |
Provided is a method for fabricating an array substrate. The method for fabricating the array substrate includes forming a semiconductor layer on a substrate, forming a gate electrode which is insulated from the semiconductor layer, forming source and drain electrodes which are insulated from the ga
1. An apparatus for fabricating an array substrate, the apparatus comprising: a first load lock chamber configured to receive a target substrate, on which a conductive layer is disposed, therein and configured to decompress atmospheric pressure therein and switch from an air pressure state therein i
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