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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0921311 (2013-06-19) |
등록번호 | US-9082637 (2015-07-14) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 4 인용 특허 : 20 |
A semiconductor device includes a substrate supporting a plurality of layers that include at least one modulation doped quantum well (QW) structure offset from a quantum dot in quantum well (QD-in-QW) structure. The modulation doped QW structure includes a charge sheet spaced from at least one QW by
1. A semiconductor device comprising: a resonator positioned adjacent a waveguide structure;the resonator including a closed loop waveguide that is configured to support closed-loop propagation of electromagnetic radiation that is emitted or absorbed by the resonator; andthe waveguide structure bein
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