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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0611387 (2012-09-12) |
등록번호 | US-9087772 (2015-07-21) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 1 인용 특허 : 11 |
A method for forming a semiconductor device includes forming a gate stack on a monocrystalline substrate. A surface of the substrate adjacent to the gate stack and below a portion of the gate stack is amorphorized. The surface is etched to selectively remove a thickness of amorphorized portions to f
1. A semiconductor device, comprising: a gate electrode formed on a monocrystalline substrate over a channel region;extension diffusion layers formed by crystal growth on top of a surface of the monocrystalline substrate on opposing sides of the channel region, each extension diffusion layer having
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