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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0643375 (2012-07-06) |
등록번호 | US-9163314 (2015-10-20) |
우선권정보 | KR-10-2011-0081207 (2011-08-16); KR-10-2011-0117872 (2011-11-11) |
국제출원번호 | PCT/KR2012/005397 (2012-07-06) |
§371/§102 date | 20121025 (20121025) |
국제공개번호 | WO2013/024971 (2013-02-21) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 0 |
The present invention relates to a CMP slurry composition for polishing tungsten comprising a abrasive and a polishing chemical, wherein the abrasive comprises colloidal silica dispersed in ultra-pure water, and the polishing chemical comprises hydrogen peroxide, ammonium persulfate and iron nitrate
1. A Chemical Mechanical Polishing (CMP) slurry composition for polishing tungsten consisting of; an abrasive and a polishing chemical to inhibit discoloration and to adjust etching selectivity by decreasing a polishing rate of titanium nitride and increasing a polishing rate of tungsten, whereinthe
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