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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0371625 (2012-12-07) |
등록번호 | US-9165764 (2015-10-20) |
우선권정보 | JP-2012-014471 (2012-01-26) |
국제출원번호 | PCT/JP2012/081838 (2012-12-07) |
국제공개번호 | WO2013/111461 (2013-08-01) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 2 |
A plasma treatment device includes a dielectric window containing SiO2. The insulating film to be etched comprises silicon carbonitride. In a first plasma treatment step, a processing gas which contains no oxygen gas and contains CH2F2, etc, is used to deposit a protective film. In a second plasma t
1. A plasma treatment method for coating an insulating film on a surface of a substrate including a part having a convex cross-sectional shape which is erected on a substrate main body and performing plasma treatment on the insulating film, the method comprising: a first plasma treatment step of for
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