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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0238639 (2012-08-08) |
등록번호 | US-9165776 (2015-10-20) |
우선권정보 | JP-2011-195359 (2011-09-07); JP-2011-267110 (2011-12-06) |
국제출원번호 | PCT/JP2012/070154 (2012-08-08) |
§371/§102 date | 20140212 (20140212) |
국제공개번호 | WO2013/035476 (2013-03-14) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 1 인용 특허 : 7 |
There is provided according to the present invention a dry etching method for a laminated film, the laminated film being formed on a substrate and having a laminated structure in which silicon layers and insulating layers are laminated together with a hole or groove defined therein in a direction pe
1. A dry etching method for a laminated film comprising etching parts of silicon layers appearing on an inner surface of a hole or groove of a laminated film with an etching gas, wherein the etching gas comprises: at least one kind of gas selected from the group consisting of ClF3, BrF5, BrF3, IF7 a
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