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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0621804 (2012-09-17) |
등록번호 | US-9240384 (2016-01-19) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 12 |
A semiconductor device has a first conductive layer formed over a substrate. A first insulating layer is formed over the substrate and first conductive layer. A second conductive layer is formed over the first conductive layer and first insulating layer. A second insulating layer is formed over the
1. A method of making a semiconductor device, comprising: providing a substrate;forming a first conductive layer over the substrate;forming a first insulating layer over the substrate and first conductive layer;forming an opening in the first insulating layer extending to the first conductive layer
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