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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0605551 (2015-01-26) |
등록번호 | US-9287446 (2016-03-15) |
우선권정보 | KR-10-2014-0036132 (2014-03-27) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 1 인용 특허 : 45 |
A nanostructure semiconductor light emitting device includes a base layer, an insulating layer, a plurality of light emitting nanostructures, and a contact electrode. The base layer is formed of a first conductivity-type semiconductor material. The insulating layer is disposed on the base layer. Eac
1. A nanostructure semiconductor light emitting device, comprising: a base layer formed of a first conductivity-type semiconductor material;an insulating layer disposed on the base layer and having a plurality of openings;a plurality of light emitting nanostructures each disposed in an opening of th
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