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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0067015 (2011-05-03) |
등록번호 | US-9315895 (2016-04-19) |
우선권정보 | JP-2010-108472 (2010-05-10) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 9 |
An apparatus for producing polycrystalline silicon having: a bell jar having a circumferential wall forming a chamber of a reactor and a jacket covering a circumferential wall, and in which a cooling path formed between the circumferential wall and the jacket that allows cooling medium including wat
1. An apparatus for producing polycrystalline silicon in which raw gas including silicon compounds is introduced into a reactor, in which electric current is supplied to silicon seed rods in the reactor so as to heat the silicon seed rods, and in which polycrystalline silicon is deposited on surface
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