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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0435230 (2009-05-04) |
등록번호 | US-9362439 (2016-06-07) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 3 인용 특허 : 231 |
A film of material may be formed by providing a semiconductor substrate having a surface region and a cleave region located at a predetermined depth beneath the surface region. During a process of cleaving the film from the substrate, shear in the cleave region is carefully controlled. According to
1. A method of cleaving a film from a substrate, the method comprising: providing a substrate having a top surface and a bottom surface, both the top surface and the bottom surface extending to edges of the substrate in all directions, the substrate having a top region defined between the top surfac
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