최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0318178 (2014-06-27) |
등록번호 | US-9368602 (2016-06-14) |
우선권정보 | CN-2013 1 0281940 (2013-07-05) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
대리인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 1 |
Methods for fabricating an IGZO layer and fabricating TFT are provided in the present invention. The method for fabricating TFT includes the following steps: (1) depositing an IGZO layer and forming a surface oxidizing gas protective layer on the IGZO layer; (2) coating the IGZO layer with a photore
1. A method for fabricating TFT, including the steps of: (1) depositing an IGZO layer and forming a surface oxidizing gas protective layer on the IGZO layer, wherein the surface oxidizing gas protective layer is formed by introducing a gas mixture of oxygen and argon after the deposition of the IGZO
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.