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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0128465 (2012-06-28) |
등록번호 | US-9373731 (2016-06-21) |
우선권정보 | AU-2011902593 (2011-06-30); AU-2011903131 (2011-08-02) |
국제출원번호 | PCT/AU2012/000764 (2012-06-28) |
§371/§102 date | 20140326 (20140326) |
국제공개번호 | WO2013/000026 (2013-01-03) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 4 |
A dielectric, structure and a method of forming a dielectric structure for a rear surface of a silicon solar cell are provided. The method comprises forming a first dielectric layer over the rear surface of the silicon solar cell, and then depositing a layer of metal such as aluminum over the first
1. A method of forming an electrical contact for a solar cell device, the method comprising: a) depositing polymer lines on a surface of the solar cell device;b) forming a metal layer over the polymer lines and the surface of the device;c) performing a process to lift-off portions of the metal layer
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