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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0344573 (2012-09-12) |
등록번호 | US-9373747 (2016-06-21) |
우선권정보 | DE-10 2011 113 775 (2011-09-19) |
국제출원번호 | PCT/EP2012/067808 (2012-09-12) |
§371/§102 date | 20140602 (20140602) |
국제공개번호 | WO2013/041424 (2013-03-28) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 5 |
A method for producing an optoelectronic component is provided. A transfer layer, containing InxGa1-xN with 0x1, is grown onto a growth substrate. Subsequently, ions are implanted into the transfer layer to form a separation zone, a carrier substrate is applied, and the transfer layer is separated b
1. A method for producing an optoelectronic component, the method comprising: a.) epitaxially growing a transfer layer onto a growth substrate, the transfer layer containing a first semiconductor layer comprising InxGa1-xN with 0
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