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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0621006 (2015-02-12) |
등록번호 | US-9383760 (2016-07-05) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 11 |
A simple SCM (Self Cascode MOSFET) structure to generate a sub-1V reference voltage in the SCM intermediate node. The structure requires only 2 transistors to create a temperature-compensated reference voltage. When sized correctly, the transistors in the SCM will operate both at weak, moderate or s
1. Temperature-compensated reference voltage system with very low power consumption based on an Self Cascode MOSFET (SCM) structure, the temperature compensating reference voltage system comprising: a first and a second transistor each having a different threshold voltage (Vth) and both the first an
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