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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0574928 (2014-12-18) |
등록번호 | US-9412613 (2016-08-09) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 1 인용 특허 : 3 |
Embodiments described herein provide for a method of forming an etch selective hardmask. An amorphous carbon hardmask is implanted with various dopants to increase the hardness and density of the hardmask. The ion implantation of the amorphous carbon hardmask also maintains or reduces the internal s
1. A method of forming an amorphous carbon layer, comprising: depositing an amorphous carbon layer on an underlayer;patterning the amorphous carbon layer;etching at least a portion of the amorphous carbon layer to expose a portion of the underlayer;implanting a dopant into the amorphous carbon layer
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