[특허]Integration of the silicon IMPATT diode in an analog technology

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[미국특허] Integration of the silicon IMPATT diode in an analog technology 원문보기

IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	H01L-029/66 H01L-029/864 H01L-029/165
출원번호	US-0327157 (2014-07-09)
등록번호	US-9412879 (2016-08-09)
발명자 / 주소	Bi, Xiaochuan Krakowski, Tracey L. Weiser, Doug
출원인 / 주소	TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
대리인 / 주소	Chan, Daniel
인용정보	피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 10

초록

A method to integrate a vertical IMPATT diode in a planar process.

대표청구항 ▼

1. A vertical impact avalanche transit-time (IMPATT) diode, comprising: a p-type layer;an n-type buried layer positioned above the p-type layer;an n-well having a lower portion positioned above the n-type buried layer and an upper portion positioned above the lower portion;an un-doped layer positioned above the n-type buried layer and laterally surrounding the lower portion of the n-well;a shallow trench layer positioned above the un-doped layer and laterally surrounding the upper portion of the n-well;a sinker layer positioned above the n-type buried layer and laterally surrounding the un-doped layer and the shallow trench layer, the sinker layer coupled to the n-well via the n-type buried layer;a breakdown layer formed in the upper portion of the n-well. 2. The vertical IMPATT diode of claim 1, wherein the breakdown layer includes a highly doped p+ silicon material. 3. The vertical IMPATT diode of claim 1, wherein the breakdown layer includes a p-type SiGe material. 4. The vertical IMPATT diode of claim 1, wherein the breakdown layer includes an n+silicon material positioned above the lower portion of the n-well, and a p+ silicon material positioned above the n+silicon material. 5. The vertical IMPATT diode of claim 1, wherein the breakdown layer includes an n-type SiGe material positioned above the lower portion of the n-well, and a p+ silicon material positioned above n-type SiGe material. 6. The vertical IMPATT diode of claim 1, wherein the breakdown layer includes an n-type SiGe material positioned above the lower portion of the n-well, and a p-type SiGe material positioned above the n-type SiGe material. 7. The vertical IMPATT diode of claim 1, wherein the un-doped layer abutting the sinker layer and the lower portion of the n-well. 8. The vertical IMPATT diode of claim 1, further comprising a deep stretch layer laterally surrounding the sinker layer and the n-type buried layer.

이 특허에 인용된 특허 (10) 인용/피인용 타임라인 분석

Herbert, David C; Davis, Robert G, IMPATT diodes.
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Jorke Helmut (Gerstetten DEX) Luy Johann-Friedrich (Ulm DEX), Impatt diode.
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Bayraktaroglu Burhan (Plano TX), Interdigitated IMPATT devices.
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Lee Don H. (Agoura CA) Weller Kenneth P. (Rancho Palos Verdes CA) Ying Robert S. (Westminster CA) Thrower William F. (Cerritos CA), Ion implantation process for fabricating high frequency avalanche devices.
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Augusto, Carlos J. R. P.; Forester, Lynn, Method of fabricating heterojunction photodiodes with CMOS.
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Wu Chung P. (Trenton NJ) Rosen Arye (Cherry Hill NJ), Method of making an impatt diode utilizing a combination of epitaxial deposition, ion implantation and substrate removal.
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Bayraktaroglu Burhan (Plano TX), Monolithic IMPATT with stripline leads.
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Babcock, Jeffrey A.; Howard, Gregory E.; Pinto, Angelo; Steinmann, Phillipp, P-i-n transit time silicon-on-insulator device.
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Lee Don H. (Agoura CA) Weller Kenneth P. (Rancho Palos Verdes CA) Thrower William F. (Cerritos CA), Planar process for making high frequency ion implanted passivated semiconductor devices and microwave integrated circuit.
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Bayraktaroglu Burhan (Plano TX), Process for fabricating monolithic microwave diodes.
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IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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