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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0752814 (2015-06-26) |
등록번호 | US-9461199 (2016-10-04) |
우선권정보 | KR-10-2014-0087466 (2014-07-11) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 38 |
There is provided a nanostructure semiconductor light-emitting device including a base layer formed of a first conductivity-type semiconductor, an insulating layer disposed on the base layer and having a plurality of openings, and a plurality of light-emitting nanostructures disposed the plurality o
1. A nanostructure semiconductor light-emitting device, comprising: a base layer formed of a first conductivity-type semiconductor;an insulating layer disposed on the base layer and having a plurality of openings exposing portions of the base layer; anda plurality of light-emitting nanostructures di
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