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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0292410 (2011-11-09) |
등록번호 | US-9464364 (2016-10-11) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 7 |
An apparatus for growing a silicon crystal substrate comprising a heat source, an anisotropic thermal load leveling component, a crucible, and a cold plate component is disclosed. The anisotropic thermal load leveling component possesses a high thermal conductivity and may be positioned atop the hea
1. An apparatus comprising: a heat source;a crucible disposed above the heat source and operative to contain molten silicon in which a top surface of the molten silicon is defined as a growth interface;an anisotropic thermal load leveling component disposed between the heat source and the crucible o
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