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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0657956 (2015-03-13) |
등록번호 | US-9472377 (2016-10-18) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 1 인용 특허 : 55 |
Method and apparatus for characterizing metal oxide reduction using metal oxide films formed in an anneal chamber are disclosed. Oxygen is provided into an anneal chamber. A substrate including a metal seed layer is exposed to the oxygen and exposed to a heated substrate support in the anneal chambe
1. A method of characterizing metal oxide reduction, the method comprising: (a) providing oxygen into an anneal chamber;(b) providing a substrate with a metal seed layer formed thereon in the anneal chamber;(c) exposing the substrate to conditions for forming a metal oxide of the metal seed layer in
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