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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0828585 (2013-03-14) |
등록번호 | US-9481944 (2016-11-01) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 97 |
The present invention provides improved gas injectors for use with CVD (chemical vapor deposition) systems that thermalize gases prior to injection into a CVD chamber. The provided injectors are configured to increase gas flow times through heated zones and include gas-conducting conduits that lengt
1. An apparatus for epitaxial deposition of a monocrystalline Group III-V semiconductor material, comprising: a source of gallium trichloride as a Group III component reactant;a source of a Group V component reactant;a reaction chamber that receives gas streams of the Group III component reactant an
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