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특허 상세정보

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Method for manufacturing SiC powders with high purity

특허상세정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판) C01B-031/36   
출원번호 US-0826521 (2013-03-14)
등록번호 US-9487405 (2016-11-08)
우선권정보 KR-10-2012-0025947 (2012-03-14)
발명자 / 주소
출원인 / 주소
인용정보 피인용 횟수 : 1  인용 특허 : 6
초록
▼

Disclosed herein is a method for manufacturing SiC powders with a high purity, and more particularly, a method for manufacturing SiC powders with a high purity by reating a solid phase carbon source as raw materials with gas phase silicon sources generated from a starting material composed of metallic silicon and silicon dioxide powders and, in which it is easy to control the size and crystalline phase of the SiC powders by changing the compositions of the gas phase silicon source to the solid phase carbon source mole ratio, and the temperature and time ...

대표
청구항
▼

1. A method for synthesizing SiC powders, comprising: i) mixing and drying metallic silicon, silicon dioxide (SiO2) powders and a thermoplastic resin to prepare a starting material for generating gas phase silicon sources, wherein a ratio of the metallic silicon to silicon dioxide (SiO2) powders is in a range from 1:0.8 to 2.0 by a molar ratio;ii) placing the starting material for generating gas phase silicon sources at a lower part of a graphite crucible, placing a graphite separator on the starting material for generating gas phase silicon sources, pla...

이 특허에 인용된 특허 (6)

  1. Endo Morinobu (Nagano JPX) Takamizawa Minoru (Tokyo JPX) Hongu Tatsuhiko (Kanagawa JPX) Kobayashi Taishi (Niigata JPX). Method for the preparation of a fine powder of silicon carbide. USP1987064676966.
  2. Golan, Gady. Method of producing silicon carbide. USP2003046554897.
  3. Fujiwara Shigeru (Himeji JPX) Nagahara Masayosi (Himeji JPX) Nagai Satoshi (Himeji JPX) Isobe Toshihiro (Himeji JPX). Non-fired silicon carbide refractories. USP1981114302372.
  4. Kanemoto Masashi,JPX ; Endo Shinobu,JPX ; Hashimoto Masao,JPX. Process for producing high purity silicon carbide powder for preparation of a silicon carbide single crystal and single. USP1999015863325.
  5. Itoh, Michio; Endo, Shigeki. Silicon carbide powder and production method thereof. USP2003096627169.
  6. Endou Morinobu (Nagano JPX) Takamizawa Minoru (Tokyo JPX) Hongu Tatsuhiko (Kanagawa JPX) Kobayashi Taishi (Niigata JPX) Hayashida Akira (Niigata JPX) Urasato Nobuaki (Nagano JPX) Ohsaki Hiromi (Niiga. Ultrafine powder of silicon carbide, a method for the preparation thereof and a sintered body therefrom. USP1986024571331.

이 특허를 인용한 특허 피인용횟수: 1

  1. Park, Sang Whan; Youm, Mi Rae; Youn, Sung Il; Cho, Gyoung Sun. Porous silicon dioxide-carbon composite and method for preparing high-purity granular beta-phase silicon carbide powder with using the same. USP2018069994454.

IPC 상위 출원인