[특허]Resist top-coat composition and patterning process

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Resist top-coat composition and patterning process 원문보기

IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	G03F-007/09 G03F-007/20 G03F-007/11
출원번호	US-0622291 (2015-02-13)
등록번호	US-9507262 (2016-11-29)
우선권정보	JP-2014-026586 (2014-02-14)
발명자 / 주소	Hatakeyama, Jun Kim, Hyun-Woo
출원인 / 주소	Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
대리인 / 주소	Myers Bigel, P.A.
인용정보	피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 11

초록 ▼

There are provided a top coat composition and a patterning process using that composition, which reduce the effect of contaminants in the surrounding atmosphere on the resist film in absorbing OOB light and in reducing film loss of the resist pattern and bridging between patterns, and also enhances the sensitivity of the resist film and suppresses the emission of outgas from the resist film. The resist top coat composition of the present invention is formed on a photoresist film formed on a wafer, and is used in a patterning process performed by lithography in which, after exposure, developing is performed. The resist top coat composition contains a polymer as a base resin having a repeating unit p of styrene having a 1,1,1,3,3,3-hexafluoro-2-propanol group shown by the following general formula (1), a C6-C10 ether compound, and a C7-C12 hydrocarbon compound, and wherein m is 1 or 2, and p is in the range of 0p≦1.0.

대표청구항 ▼

1. A resist top coat composition, used in a patterning process by lithography in which a photoresist film on a wafer is top coated with the top coat composition, and then exposed and developed, wherein the resist top coat composition contains: a polymer as a base resin having a repeating unit p of styrene having a 1,1,1,3,3,3-hexafluoro-2-propanol group shown by the following general formula (1), wherein m is 1 or 2, and p is in the range of 0

이 특허에 인용된 특허 (11)

Kudo, Takanori; Dioses, Alberto; Ng, Edward; Chakrapani, Srinivasan; Padmanaban, Munirathna, Bottom antireflective coating compositions and processes thereof.
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Kim, Hyun-woo; Na, Hai-sub; Chung, Chil-hee; Cho, Han-ku, Coating composition for DUV filtering, method of forming photoresist pattern using the same and method of fabricating semiconductor device by using the method.
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Prokopowicz, Gregory P.; Polhers, Gerhard; Li, Mingqi; Wu, Chunyi; Liu, Cong; Xu, Cheng-bai, Polymer composition and photoresist comprising the polymer.
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Park, Jong Kyoung; Han, Man Ho; Kim, Hyun Jin; Kim, Deog Bae, Polymer for forming resist protection film, composition for forming resist protection film, and method of forming patterns of semiconductor devices using the composition.
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Harada, Yuji; Hatakeyama, Jun; Yoshihara, Takao; Kusaki, Wataru; Kobayashi, Tomohiro; Hasegawa, Koji, Polymer, resist composition, and patterning process.
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Hatakeyama, Jun; Hasegawa, Koji; Tachibana, Seiichiro, Positive resist composition and patterning process.
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Kanda,Hiromi, Protective film-forming composition for immersion exposure and pattern-forming method using the same.
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Hatakeyama, Jun; Watanabe, Takeru; Harada, Yuji, Resist protective coating material and patterning process.
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Hatakeyama, Jun, Resist protective film-forming composition and patterning process.
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Nakamura, Atsushi; Nakagawa, Hiroki; Nakashima, Hiromitsu; Tsuji, Takayuki; Dougauchi, Hiroshi; Kouno, Daita; Nishimura, Yukio, Upper layer-forming composition and photoresist patterning method.
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Nakamura, Atsushi; Nakagawa, Hiroki; Nakashima, Hiromitsu; Tsuji, Takayuki; Dougauchi, Hiroshi; Kouno, Daita; Nishimura, Yukio, Upper layer-forming composition and photoresist patterning method.
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IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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