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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0838322 (2015-08-27) |
등록번호 | US-9508898 (2016-11-29) |
우선권정보 | KR-10-2014-0113532 (2014-08-28) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 38 |
There is provided a nanostructure semiconductor light emitting device including: a base layer formed of a first conductivity-type nitride semiconductor; and a plurality of light emitting nanostructures disposed to be spaced apart from one another on the base layer, wherein each of the plurality of l
1. A nanostructure semiconductor light emitting device comprising: a base layer of a first conductivity-type nitride semiconductor; anda plurality of light emitting nanostructures spaced apart from one another on the base layer,wherein each of the plurality of light emitting nanostructures comprises
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