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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0031106 (2013-10-29) |
등록번호 | US-9558820 (2017-01-31) |
국제출원번호 | PCT/US2013/067268 (2013-10-29) |
국제공개번호 | WO2015/065337 (2015-05-07) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 5 |
A method includes applying a voltage bump across a combined memory device comprising a volatile selector switch and a nonvolatile switch, in which the voltage bump changes a state of the volatile selector switch from a high resistance to a low resistance but does not change a state of the nonvolatil
1. A method comprising: applying a voltage bump across a combined memory device comprising a volatile selector switch and a nonvolatile switch; in which the voltage bump changes a state of the volatile selector switch from a high resistance to a low resistance but does not change a state of the nonv
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