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특허 상세정보

Methods for wafer bonding and for nucleating bonding nanophases using wet and steam pressurization

특허상세정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판) H01L-021/18   
출원번호 US-0238979 (2012-10-31)
등록번호 US-9589801 (2017-03-07)
국제출원번호 PCT/US2012/062746 (2012-10-31)
국제공개번호 WO2013/066977 (2013-05-10)
발명자 / 주소
출원인 / 주소
대리인 / 주소
    McDonnell Boehnen Hulbert & Berghoff LLP
인용정보 피인용 횟수 : 0  인용 특허 : 12
초록

Substrates may be bonded according to a method comprising contacting a first bonding surface of a first substrate with a second bonding surface of a second substrate to form an assembly in the presence of an steam atmosphere under suitable conditions to form a bonding layer between the first and second surfaces, wherein the first bonding surface comprises a polarized surface layer; the second bonding surface comprises a hydrophilic surface layer; the first and second bonding surfaces are different.

대표
청구항

1. A method for bonding substrates comprising contacting a first bonding surface of a first substrate with a second bonding surface of a second substrate in a vessel; andintroducing steam into the vessel to form an assembly of the first substrate and the second substrate in a pressurized atmosphere comprising steam and oxygen, wherein the pressurized atmosphere has a relative humidity above 80% and a temperature between about 25° C. and about 200° C., to form a hydroxylated cross-bridging interphase that binds the first bonding surface and the second bon...

이 특허에 인용된 특허 (12)

  1. Ridgeway Kent ; Ricker Richard B. ; Howard Robert W.. Apparatus for generating a wet oxygen stream for a semiconductor processing furnace. USP2001056228175.
  2. Kub Francis J. ; Hobart Karl D.. Fabrication ultra-thin bonded semiconductor layers. USP2001116323108.
  3. Buchanan, Douglas A.; Callegari, Alessandro C.; Gribelyuk, Michael A.; Jamison, Paul C.; Neumayer, Deborah Ann. High mobility FETS using A1203 as a gate oxide. USP2003016511876.
  4. Herbots, Nicole; Atluri, Vasudeva P.; Bradley, James D.; Swati, Banerjee; Hurst, Quinton B.; Xiang, Jiong. Long range ordered semiconductor interface phase and oxides. USP2003096613677.
  5. Fukuda Hisashi (Tokyo JPX). Method and device for cleaning substrates. USP1989104871416.
  6. Tong, Qin-Yi; Fountain, Jr., Gaius Gillman; Enquist, Paul M.. Method for low temperature bonding and bonded structure. USP2005066902987.
  7. Herbots, Nicole; Bradley, James; Shaw, Justin Maurice; Culbertson, Robert J.; Atluri, Vasudeva. Methods for preparing semiconductor substrates and interfacial oxides thereon. USP2010127851365.
  8. Hall Steven C. (Round Rock TX) Gardner Mark I. (Red Rock TX) Fulford ; Jr. Henry J. (Austin TX). Oxide removal method for improvement of subsequently grown oxides. USP1994095350492.
  9. Sirosh Sadanandan Neel,CAX ; Van Oyen Hans C.,CAX ; Tamura Masayuki,JPX ; Yokoyama Kazutaka,JPX ; Endo Hajime,JPX. Seal system for fluid pressure vessels. USP1999085938209.
  10. Ishikawa Hiraku,JPX. Semiconductor device using a thermal treatment of the device in a pressurized steam ambient as a planarization technique. USP2001116319847.
  11. McKee Rodney Allen ; Walker Frederick Joseph. Strain-based control of crystal anisotropy for perovskite oxides on semiconductor-based material. USP2000026023082.
  12. Kub,Francis; Hobart,Karl. Wafer bonding of thinned electronic materials and circuits to high performance substrate. USP2008047358152.