최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0943517 (2010-11-10) |
등록번호 | US-9607955 (2017-03-28) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
대리인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 6 |
The present disclosure relates to forming multi-layered contact pads for a semiconductor device, wherein the various layers of the contact pad are formed using one or more thin-film deposition processes, such as an evaporation process. Each contact pad includes an adhesion layer, which is formed ove
1. A method comprising: providing a semiconductor structure comprising a first surface;providing an adhesion layer on at least one select area of the first surface;providing a barrier layer of titanium nitride on the adhesion layer using an evaporation process, wherein the evaporation process compri
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.