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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0138381 (2016-04-26) |
등록번호 | US-9627442 (2017-04-18) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 106 |
Horizontally oriented and vertically stacked memory cells are described herein. One or more method embodiments include forming a vertical stack having a first insulator material, a first memory cell material on the first insulator material, a second insulator material on the first memory cell materi
1. A memory cell, comprising: a memory cell material having a recess formed therein; andan electrode conformally deposited in the recess in the memory cell material;wherein the memory cell material is a self-aligned memory cell material. 2. The memory cell of claim 1, wherein the electrode is confor
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