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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0680159 (2015-04-07) |
등록번호 | US-9698008 (2017-07-04) |
우선권정보 | JP-2010-095333 (2010-04-16) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 41 |
An object is to provide a deposition method in which a gallium oxide film is formed by a DC sputtering method. Another object is to provide a method for manufacturing a semiconductor device using a gallium oxide film as an insulating layer such as a gate insulating layer of a transistor. An insulati
1. A semiconductor device comprising: a first transistor comprising: a channel formation region including a semiconductor material;impurity regions with the channel formation region therebetween;a first gate insulating layer over the channel formation region;a first gate electrode overlapping with t
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