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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0207585 (2016-07-12) |
등록번호 | US-9748947 (2017-08-29) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 1 인용 특허 : 6 |
There are provided methods and systems for operating insulated gate bipolar transistors (IGBTs). For example, there is provided a method that can include detecting a desaturation condition in an IGBT and initiating a turn off procedure when desaturation is detected. The turn off procedure can includ
1. A method for operating an insulated gate bipolar transistor (IGBT), comprising: detecting a desaturation condition in the IGBT; andinitiating a turn off procedure when desaturation is detected, the turn off procedure including:holding a gate of the IGBT at at least one voltage level intermediate
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