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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0580143 (2014-12-22) |
등록번호 | US-9761739 (2017-09-12) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 1 인용 특허 : 273 |
High speed optoelectronic devices and associated methods are provided. In one aspect, for example, a high speed optoelectronic device can include a silicon material having an incident light surface, a first doped region and a second doped region forming a semiconductive junction in the silicon mater
1. A high speed optoelectronic device for detecting infrared radiation, comprising: a silicon material having a thickness in a range of about 1 micron to about 100 microns and having a surface for receiving incident radiation;a first doped region and a second doped region forming a semiconductive ju
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