최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0181167 (2011-07-12) |
등록번호 | US-9790619 (2017-10-17) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
대리인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 47 |
A method is disclosed for producing a high quality bulk single crystal of silicon carbide in a seeded growth system by reducing the separation between a silicon carbide seed crystal and a seed holder until the conductive heat transfer between the seed crystal and the seed holder dominates the radiat
1. A method of producing a high quality silicon carbide single crystal in a seeded growth system, the method comprising: lapping or machining a seed crystal so that a seed holder-facing surface of the seed crystal deviates from flat no more than 2 μm to prevent any gap between the seed crystal and t
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.