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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0120848 (2015-02-09) |
등록번호 | US-9793154 (2017-10-17) |
우선권정보 | JP-2014-046098 (2014-03-10) |
국제출원번호 | PCT/JP2015/000575 (2015-02-09) |
국제공개번호 | WO2015/136834 (2015-09-17) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 6 |
The present invention is a method for manufacturing a bonded SOI wafer including: performing a thermal oxidation treatment including at least one of a thermal oxidation during temperature-rising and a thermal oxidation during temperature-falling with the use of a batch type heat treatment furnace, t
1. A method for manufacturing a bonded SOI wafer comprising: forming a silicon oxide film on a surface of at least one wafer of a bond wafer and a base wafer made of a silicon single crystal by a thermal oxidation treatment, implanting at least one gas ion of a hydrogen ion and a rare gas ion into t
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