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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0058167 (2013-10-18) |
등록번호 | US-9797064 (2017-10-24) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 57 |
A method of forming an SiC crystal including placing in an insulated graphite container a seed crystal of SiC, and supporting the seed crystal on a shelf, wherein cushion rings contact the seed crystal on a periphery of top and bottom surfaces of the seed crystal, and where the graphite container do
1. A method of forming an SiC crystal by vapor transport onto a seed crystal, the method comprising: a. providing a graphite container having a cylindrical shelf formed on an upper part of an interior sidewall of the graphite container and having an interior diameter smaller than the diameter of the
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