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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0764513 (2014-01-28) |
등록번호 | US-9842966 (2017-12-12) |
우선권정보 | KR-10-2013-0010111 (2013-01-29); KR-10-2013-0164522 (2013-12-26) |
국제출원번호 | PCT/KR2014/000813 (2014-01-28) |
국제공개번호 | WO2014/119911 (2014-08-07) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 44 |
There is provided a nanostructure semiconductor light emitting device including a base layer formed of a first conductivity-type semiconductor, a first insulating layer disposed on the base layer and having a plurality of first openings exposing partial regions of the base layer, a plurality of nano
1. A nanostructure semiconductor light emitting device comprising: a base layer formed of a first conductivity-type semiconductor;a first insulating layer disposed on the base layer and having a plurality of first openings exposing partial regions of the base layer;a plurality of nano-light emitting
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