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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0297647 (2016-10-19) |
등록번호 | US-9853185 (2017-12-26) |
우선권정보 | KR-10-2013-0010112 (2013-01-29); KR-10-2013-0147783 (2013-11-29) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 46 |
There is provided a method for manufacturing a nanostructure semiconductor light emitting device, including: forming a mask having a plurality of openings on a base layer; growing a first conductivity-type semiconductor layer on exposed regions of the base layer such that the plurality of openings a
1. A core-shell structure semiconductor light emitting device, comprising: a base layer including a first conductivity type semiconductor;an insulating layer disposed on the base layer and having a plurality of openings through which exposed regions of the base layer are exposed;a plurality of light
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