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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0100476 (2014-11-26) |
등록번호 | US-9905589 (2018-02-27) |
우선권정보 | JP-2013-250623 (2013-12-03) |
국제출원번호 | PCT/IB2014/066346 (2014-11-26) |
국제공개번호 | WO2015/083042 (2015-06-11) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 21 |
An object is to provide a novel separation method or a novel manufacturing method of a device. In the case where a bond of M-O—W (M is a given element) is divided by application of physical force, a liquid is absorbed into the gap, whereby the bond becomes bonds of M-OH HO—W with a longer bond dista
1. A manufacturing method of a semiconductor device comprising: forming a separation layer over a substrate having an insulating surface;forming a semiconductor layer containing silicon over the separation layer;performing light irradiation for crystallization on the semiconductor layer containing s
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