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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0907189 (2016-01-22) |
등록번호 | US-9966296 (2018-05-08) |
우선권정보 | RU-2011129184 (2011-07-13) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 28 |
The present invention proposes variations of the laser separation method allowing separating homoepitaxial films from the substrates made from the same crystalline material as the epitaxial film. This new method of laser separation is based on using the selective doping of the substrate and epitaxia
1. A method of laser separation of an epitaxial film or of an epitaxial film layer from a growth substrate of an epitaxial semiconductor structure, the method comprising: using selective doping of some regions of the epitaxial semiconductor structure with fine donor or acceptor impurities when growi
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