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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0028623 (2013-10-18) |
등록번호 | US-10003330 (2018-06-19) |
국제출원번호 | PCT/IB2013/002716 (2013-10-18) |
국제공개번호 | WO2015/056042 (2015-04-23) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 1 |
The present invention relates to an insulated gate bipolar transistor (IGBT) driver module for driving at least one gate of at least one IGBT device, and method therefor. The IGBT driver module comprises at least one series capacitance operably coupled between a driver component of the IGBT driver m
1. An insulated gate bipolar transistor, IGBT, driver module for driving at least one gate of at least one IGBT device; the IGBT driver module comprising: at least one series capacitance operably coupled between a driver component of the IGBT driver module and the at least one gate of the at least o
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