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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0289548 (2016-10-10) |
등록번호 | US-9991419 (2018-06-05) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 7 |
A device according to embodiments of the invention includes a semiconductor structure including a light emitting layer disposed between an n-type region and a p-type region. A surface of the p-type region perpendicular to a growth direction of the semiconductor structure includes a first portion and
1. A method comprising: partially activating a p-type region in a group III-nitride structure comprising a light emitting layer disposed between an n-type region and the p-type region;after partially activating the p-type region, forming a metal p-contact on the p-type region, the metal p-contact co
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