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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0623228 (2017-06-14) |
등록번호 | US-10037940 (2018-07-31) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 8 |
Methods and apparatus for forming a semiconductor device are provided which may include any number of features. One feature is a method of forming an interconnect structure that results in the interconnect structure having a top surface and portions of the side walls of the interconnect structure co
1. A semiconductor device, comprising a substrate having a dielectric region on the substrate;an interconnect structure extending within at least one trench in the dielectric region;at least one gap between at least a portion of a sidewall of the interconnect structure and at least a portion of a wa
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