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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0155696 (2016-05-16) |
등록번호 | US-10190199 (2019-01-29) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 166 |
Metal ingots for forming single-crystal shape-memory alloys (SMAs) may be fabricated with high reliability and control by alloying thin layers of material together. In this improved method, a reactive layer (e.g., aluminum) is provided in thin flat layers between layers of other materials (e.g., cop
1. A method of making a hyperelastic single-crystal CuAlNi shape memory alloy, the method comprising: forming a melt of CuAlNi by layering a layer of aluminum adjacent to a layer of copper and a layer of nickel, and-melting the layers together;placing a seed of a desired composition for the shape me
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