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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0582014 (2017-04-28) |
등록번호 | US-RE47208 (2019-01-15) |
우선권정보 | JP-2009-066877 (2009-03-18) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 17 |
A single crystal silicon layer is formed on a principal surface of a first wafer by epitaxial growth. A silicon oxide layer is formed on the single crystal silicon layer. Next, a defect layer is formed inside the single crystal silicon layer by ion implantation, and then, the second wafer is bonded
1. A manufacturing method of a solid-state image sensor comprising: forming a first single crystal silicon layer having a first impurity concentration on a principal surface of a first wafer by epitaxial growth;forming a silicon oxide layer on the first single crystal silicon layer;forming a defect
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