[특허]Activating reactions in integrated circuits through electrical discharge

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IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	H01L-023/58 H01L-023/00 H01L-031/02 H01L-031/0203 H01L-023/06 H01L-023/04 H01L-023/34 H01L-023/525 H01L-025/16
출원번호	US-0187873 (2016-06-21)
등록번호	US-10262955 (2019-04-16)
발명자 / 주소	Cabral, Jr., Cyril Fritz, Gregory M. Murray, Conal E. Rodbell, Kenneth P.
출원인 / 주소	International Business Machines Corporation
대리인 / 주소	Sharkan, Noah A.
인용정보	피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 31

초록 ▼

Embodiments of the present invention provide integrated circuits and methods for activating reactions in integrated circuits. In one embodiment, an integrated circuit is provided having reactive material capable of being activated by electrical discharge, without requiring a battery or similar external power source, to produce an exothermic reaction that erases and/or destroys one or more semiconductor devices on the integrated circuit.

대표청구항 ▼

1. An integrated circuit comprising: a semiconductor build;a first dielectric layer deposited onto the semiconductor build;reactive material deposited into a trench in the first dielectric layer;a barrier disposed atop the reactive material, wherein the barrier is configured to undergo dielectric breakdown upon application of voltage to the barrier;metallization disposed atop the barrier, wherein at least a portion of the metallization is configured to carry electrical current to the barrier;packaging enclosing the semiconductor build, wherein the packaging comprises materials configured to generate a charge from triboelectric charging in response to a tampering event; andone or more wires electrically coupled to the packaging and the metallization disposed atop the barrier, wherein the one or more wires are configured to transmit the generated charge to the metallization disposed atop the barrier. 2. The integrated circuit of claim 1, wherein the reactive material comprises a plurality of alternating layers of metals that are configured to undergo exothermic reaction upon being activated by electrical discharge. 3. The integrated circuit of claim 2, wherein the plurality of alternating layers of metals comprise aluminum and palladium. 4. The integrated circuit of claim 1, wherein the barrier is a third dielectric layer having a thickness of less than 10 nm. 5. The integrated circuit of claim 4, wherein the third dielectric layer has a thickness greater than or equal to 1 nm and less than or equal to 5 nm. 6. The integrated circuit of claim 1, wherein the barrier is a gap containing one or more gases or vacuum. 7. The integrated circuit of claim 1, wherein the barrier is configured to undergo dielectric breakdown using power greater than or equal to 10 nanowatts and less than or equal to 10 microwatts. 8. The integrated circuit of claim 1, wherein the reactive material is disposed within sufficient proximity of a semiconductor device in the semiconductor build such that upon exothermic reaction of the reactive material, the semiconductor device would be erased or destroyed. 9. The integrated circuit of claim 1, further comprising: packaging enclosing the semiconductor build and one or more photovoltaic cells, wherein the one or more photovoltaic cells are configured to generated a charge in response to a tampering event in which light enters the packaging and strikes one or more photovoltaic cells; andone or more wires electrically coupled to the one or more photovoltaic cells and the metallization disposed atop the barrier, wherein the one or more wires are configured to transmit the generated charge to the metallization disposed atop the barrier.

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