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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | 15175880 (2016-06-07) |
등록번호 | 10312137 (2019-06-04) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 0 |
Embodiments of the present disclosure provide an apparatus and methods for forming a hardmask layer that may be utilized to transfer patterns or features to a film stack with accurate profiles and dimension control for manufacturing three dimensional (3D) stacked semiconductor devices. In one embodi
1. A method of forming a hardmask layer on a substrate comprises: forming a seed layer comprising boron on a film stack disposed on a substrate by supplying a seed layer gas mixture in a processing chamber, wherein the seed layer gas mixture comprises at least a boron containing gas and a nitrogen c
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