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NTIS 바로가기국가/구분 | WIPO(WO) A3 공개 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0015545 (2003-05-14) |
공개번호 | WO-4042104 (2005-05-19) |
우선권정보 | US-0384890 (2002-05-31); US-0436724 (2003-05-12) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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The invention includes methods of forming a barrier layer. Material is ablated from an ECAE target to form a layer having a thickness variance of less than or equal to 1 % of 1-sigma across a substrate surface. The invention includes a method of forming a tunnel junction (40). A thin film (20) i
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