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NTIS 바로가기국가/구분 | WIPO(WO) A1 공개 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | JP2020/018058 (2020-04-28) |
공개번호 | 2020/235315 (2020-11-26) |
우선권정보 | 2019-094001 (2019-05-17) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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The present invention pertains to a crystal growth apparatus for growing a SiC crystal on a SiC seed substrate by a sublimation method wherein a SiC starting material is sublimated by heating, said apparatus comprising: a main body which houses the SiC starting material; a growth container which is
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