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NTIS 바로가기등록일자 | 2004-12-23 |
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출처 | RESEAT |
URL | https://www.reseat.or.kr/portal/cmmn/file/fileDown.do?menuNo=200019&atchFileId=10950e1094ae4e489886517b70348064&fileSn=1&bbsId= |
□ 현대 반도체 기술에서 실제 소자를 제작하고 실험하는 일은 많은 비용과 노력과 시간을 요구하기 때문에, 실제 소자 제작에 앞서 시뮬레이션을 통해 소자의 특성을 예측하는 일이 꼭 필요하다. 따라서 소자의 특성을 정확히 예측할 수 있는 시뮬레이션 방법은 중요한 문제이다.
□ 이전의 반도체 세대에서는 소자에 대한 DD(Drift Diffusion) 모델로 소자의 특성을 설명하는 것이 가능했으나, 소자가 소형화되면서 새로운 모델이 필요하게 되었는데 그 새로운 모델로 쓰이고 있는 것이 유체동역학(hydrodynamic)
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