초록 ▼

□ 휘발성 메모리인 SRAM은 고성능의 데이터 처리, 낮은 소비전력, 간단한 주변회로구성 및 로직 LSI와의 혼재가 용이하다는 장점을 지녀, 혼재 메모리로서 SoC에 이용되어 왔다. 그러나 65nm 노드의 개발 이후에는 누설전류의 증대와 동작마진의 감소, 소프트웨어의 오류증대라는 3중고에 시달리고 있어 전문가들 사이에도 많은 논란이 거듭되고 있다.

□ 이러한 문제점을 해결하기 위하여 SRAM 자체기술의 개량과 대체기술의 개발이라는 두 가지 방안이 거론되고 있으며, 전자는 앞으로 당분간은 SRAM기술과 SiP에 의

□ 휘발성 메모리인 SRAM은 고성능의 데이터 처리, 낮은 소비전력, 간단한 주변회로구성 및 로직 LSI와의 혼재가 용이하다는 장점을 지녀, 혼재 메모리로서 SoC에 이용되어 왔다. 그러나 65nm 노드의 개발 이후에는 누설전류의 증대와 동작마진의 감소, 소프트웨어의 오류증대라는 3중고에 시달리고 있어 전문가들 사이에도 많은 논란이 거듭되고 있다.

□ 이러한 문제점을 해결하기 위하여 SRAM 자체기술의 개량과 대체기술의 개발이라는 두 가지 방안이 거론되고 있으며, 전자는 앞으로 당분간은 SRAM기술과 SiP에 의한 DRAM 실장기술로 대부분의 용도를 충족할 수 있고, 또한 CMOS의 미세화가 진행되는 한, SRAM의 존속이 불가피한 일면이 있다고 지적하고 있다.

□ 이에 비하여 대체기술의 개발을 주장하는 쪽에서는 이미 SRAM의 장점이 거의 사라지고 있기 때문에, 회로구성은 복잡하지만 보다 용도가 다양한 DRAM의 겸용을 촉구하고 있다. 그러나 비휘발성의 차세대 메모리인 FeRAM, PRAM, MRAM의 개발이 촉진되고 있어, 이를 서로 유리한 입장에서 활용하려는 움직임이 보이고 있다.

□ 우리나라의 삼성전자는 2003년도의 SRAM생산에 있어서 33%라는 압도적인 생산량을 보이고 있지만, FeRAM의 양산기술을 확보하여 2005년도부터는 본격적으로 출하를 시작할 것으로 보이고, PRAM도 2004년 6월에 시제품을 선보이고 있지만 DRAM 겸용을 택하는 것으로 분류되고 있다.

□ SRAM도 PDA, 셋톱박스, 디지털TV, 게임기 등에서 새로운 수요를 창출하고 있는 만큼, SRAM에서의 우위를 유지하는 한편, 비휘발성 메모리에서도 최선두를 유지할 것을 기대한다.