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NTIS 바로가기등록일자 | 2006-05-04 |
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출처 | RESEAT |
URL | https://www.reseat.or.kr/portal/cmmn/file/fileDown.do?menuNo=200019&atchFileId=e366d552c6ef41668d87e58a10a31b47&fileSn=1&bbsId= |
○ 이 리뷰는 방대한 참고문헌을 인용하여 현재까지 알려져 있는 GaN결정에 함유되어 있는 것으로 보이는 각종 결함의 내용을 열거하고 이 결함들로 인하여 방출하는 발광 스펙트럼의 양상을 제조조건과 관련하여 설명하고 있다. 결함의 내용이 너무 다양하기 때문에 저자마다의 추론을 언급한 내용을 담고 있다. 리뷰 내용은 분량이 너무 많아서인지 원저자의 연구논문을 상당한 부분 전재한 느낌이 든다. 전자소재연구는 우리나라를 비롯하여 선진국이 다투어 연구하는 분야이다. 이 글에도 언급하였지만 한국 삼성기술연구소에서 레이저로 시편을 분리하여 만든
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